大模型狂飙的尽头，这家国产 GPU 厂商要把算力放在客厅
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AI 分身 24 小时冲浪，它交朋友怎么比我还好？
「另一个我」，可能比你想象的更早上线#欢迎关注爱范儿官方微信公众号：爱范儿（微信号：ifanr），更多精彩内容第一时间为您奉上。......
将 600 亿参数大模型装进手机的瓶颈，终于被中国 AI 公司突破了
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派早报：小米召开新品发布会、Photoshop 移除工具支持端侧 AI 模型等
绿联推出 NAS 新品 DXP4800 GT、哈博森黑鹰 4 号无人机发布等。查看全文......
华为详解“逻辑折叠”等核心技术，多层级协同优化体系贯穿器件、电路、芯片到系统层面
IT之家 5 月 25 日消息，今日，在电气电子工程师学会（IEEE）举办的国际电路系统研讨会 ISCAS 2026 上，华为何庭波发表题为“半导体新路径探索与实践”的主旨演讲，发表了指导半导体产业发展的新原则 —— 韬 (τ) 定律。根据官方介绍，韬 (τ) 定律提出以“时间 (τ) 缩微”替代“几何缩微”作为半导体与电子系统演进的新指导原则 —— 通过逻辑折叠等创新技术，持续压缩信号传播时延，...
芯动科技国产首发全套 UALink 纵向扩展高速互联 IP 组合
IT之家 5 月 25 日消息，芯动科技 (Innosilicon) 近日宣布国产首发适用于 AI 算力基础设施纵向扩展 (Scale-Up) 的全套 UALink 高速互联 IP 组合。支持先进的高性能 112Gbps / 224Gbps 单通道物理层 (PHY)。芯动科技表示，此次其发布的 IP 套件已通过客户系统验证，适配各类 XPU 算力芯片，兼容 800Gbps / 1.6Tbps 光模...
何庭波透露华为付出巨大努力使手机芯片重回市场，去年推出麒麟 9030 Pro 后曾进入性能“饱和区”
IT之家 5 月 25 日消息，在今天的国际电路与系统研讨会（ISCAS 2026）上，华为公司董事、半导体业务部总裁何庭波透露，2020 年后，与合作伙伴一起，华为付出了巨大努力使手机芯片重回市场。▲ 图源：华为麒麟官方公众号 | ISCAS 2026 现场她提到，去年推出麒麟 9030 Pro 后，华为手机芯片进入性能“饱和区”。为此，华为基于以“时间缩微”替代“几何缩微”的新定律，找到了新的...
华为麒麟 2026 芯片官方剧透：晶体管密度提升 53.5％，峰值频率首超 3GHz
IT之家 5 月 25 日消息，在今日的国际电路与系统研讨会（ISCAS 2026）上，华为公司董事、半导体业务部总裁何庭波表示，将于今年秋季面世的麒麟手机芯片率先采用了逻辑折叠（LogicFolding）技术，性能大幅提升。根据演讲的 PPT 内容，华为麒麟 2026 芯片（未公布正式名称）相比传统的 2D 设计芯片，晶体管密度提升 53.5%，达到 238 MTr / mm²，P 核能效提升 ...
华为何庭波：我们新芯片的性能完全可以持续对标另外一条路径
IT之家 5 月 25 日消息，在今天的 2026 国际电路与系统研讨会，华为公司董事、半导体业务部总裁何庭波在题为《半导体新路径探索与实践》的主旨演讲中，正式发表“韬（τ）定律”，这是中国在全球半导体领域首次提出指导产业发展的新原则。▲ 图源：华为麒麟官方公众号 | ISCAS 2026 现场根据规划，华为 2026 到 2035 年，随着大量探索性的技术逐步产品化，晶体管的密度将持续提升，工作...
华为 nova 16 系列手机现身官网，含 16Ultra/16 Pro/16/16z 四款机型
IT之家 5 月 25 日消息，华为 nova 16 系列手机现已在官网商城上线，含有 nova 16 Ultra、nova 16 Pro、nova 16、nova 16z 四款机型。IT之家附华为 nova 16 四款机型官图如下：nova 16 Ultra：nova 16 Pro：nova 16：nova 16z：据IT之家今日早些时候报道，华为将于 6 月 1 日 14:30 举行 nova...
面壁智能联合清华等开源中国首个基于华为昇腾训练的 1.58-bit 端侧大模型 BitCPM-CANN
IT之家 5 月 25 日消息，面壁智能联合清华大学、OpenBMB 开源社区，今天正式发布并开源其在低比特大模型训练方向的最新成果 ——BitCPM-CANN。官方表示，这是中国首个完全基于国产算力平台（华为昇腾）实现端到端训练并开源的三值（1.58-bit）大模型。从量化算子、训练算法到全链路框架，BitCPM-CANN 均在华为昇腾上原生完成，包含 0.5B、1B、3B、8B 四个模型尺寸，...
东芝出样 1200V 沟槽栅碳化硅 MOSFET，主要面向下一代 AI 数据中心电源系统
IT之家 5 月 25 日消息，东芝电子元件及存储装置株式会社本月 21 日宣布开始出货 1200V 沟槽栅碳化硅 (SiC) MOSFET "TW007D120E" 的测试样品，该产品主要面向下一代 AI 数据中心电源系统（800V HVDC 架构），同时也适用于可再生能源相关设备。TW007D120E 采用东芝专有的沟槽栅结构，单位面积低导通电阻较东芝现有产品降低约 58%，达到业界领先水平；...